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제품소개
반도체용가스
반도체용 가스는 반도체의 특성을 만들기 위한 Doant, Etchant, Reactant, Reactant, Purge 가스 등으로 구분되며
그 종류가 다양하고 대부분 독성이며, 높은 순도를 요하며, LSL, LED, LCD 등과 같은 반도체 장치의 제조에 사용되는
가스를 말합니다.
이러한 반도체용 특수가스는 높은 가연성과 독성을 지니고 있어 극히 위험하기 때문에 생산, 검사, 운송시
고도의 관리가 요구됩니다.
㈜아이피티의 표준가스는 철저한 품질관리와 정밀분석법으로 고객의 요구에 부응하고 있습니다.
용도
- 반도체 제조산업
- 반도체 제조 연구용
반도체용
특수가스의 종류
Silicon Group
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| SiH₄ | 모노실란 | Silane |
| Si₂H6 | 디실란 | Disilane |
| SiF₄ | 4불화규소 | Silicon Tetrafluorosilane |
| SiCl₄ | 4염화규소 | Silicon Trichlorosilane |
| SiHCl₃ | 3염화실란 | Trichlorosilane |
| SiH₂Cl₂ | 디클로로실란 | Diclorosilane |
Aresenic Group
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| AsH₃ | 알루신 | Arsine |
Phosphorus Group
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| PH₃ | 포스핀(인화수소) | Phosphine |
Boron Group
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| B2₂H6 | 디보란 | Diborane |
| BF₃ | 3불화붕소 | Boron trifluoride |
| BCl₃ | 3염화붕소 | Boron trichoride |
| BBr₃ | 붕소 | Trichlorosilane |
Hydride Group
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| GeH₄ | 모노게르만 | Monogermane |
| H₂Se | 세렌화수소 | Hydrogen Selenide |
Halogen, Halogenide Group
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| F₂ | 불소 | Fluorine |
| Cl₂ | 염소 | Chlorine |
| NF₃ | 3불화질소 | Nitrogen Trifluoride |
| SiCl₄ | 6불화황 | Sulfur Hexafluoride |
| SiHCl₃ | 6불화텅스텐 | Tungsten Hexafluoride |
| SiH₂Cl₂ | 염화수소 | Hydrogen Chloride |
| HF | 불화수소 | Hydrogen Fluoride |
| HBr | 브롬화수소 | Hydrogen Bromide |
| Hi | 요화수소 | Hydrogen Iodide |
| ClF₃ | 3불화염소 | Chlorine Trifluoride |
Halogeno - Hydrocabon Group
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| CHF₃ | 3불화메탄 | Trifluoromethane |
| CF₄ | 4불화메탄 | Tetragluoromethane |
| C₂F6 | 6불화에탄 | Hexafluoroethane |
| C₃F8 | 8불화프로판 | Perfluoropropane |
| C₄F8 | 8불화시키로 | Octafluorrcyclobutane |
| CHCl₃ | 클로폼 |
Nitrogen Oxide Group
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| N₂O | 일산화질소 | Nitrous Oxide |
E.T.C. Group
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| NH₃ | 암모니아 | Ammonia |
| CO₂ | 이산화탄소 | Corbon Dioxide |
| H₂S | 황화수소 | Hydrogen Sulfide |
| SiCl₄ | 4염화규소 | Silicon Trichlorosilane |
| SiHCl₃ | 3염화실란 | Trichlorosilane |
Carrier Gases Group
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| H₂ | 수소 | Hydrogen |
| N₂ | 질소 | Nitrogen |
| O₂ | 산소 | Oxygen |
| He | 헬륨 | Helium |
| Ar | 알곤 | Argon |
E.T.C.
| 분자식 | 한글명 | 영문명 |
|---|---|---|
| (CH₃O)₃PO | 트리메틸파스메이트 | |
| PF₃ | 삼불화인 | |
| CH₃F | Methyl Fluoride | |
| CHClF₂ | 염화2플루오르화메탄 | Monochlorodifluoro methane |
| (CH₃O)₃B | 트리메틸 보레이트 | Trimethyl borate |
| POCl₃ | 옥시염화인 | Phosphorus oxychloride |
| PF5 | 오불화인 | Phosphorus pentafluoride |
| CHF₃ | 3플루오르화메탄 | Methane trifluoride |
| (CH₃O)₃PO | 트리메틸파스페이트 | |
| (C₂H5O)₄Si | 테트라에톡시실란 | Tetraethhoxysiline |
| (C₂H5)₂Te | 디에틸텔루라이드 | |
| C₄F8 | 옥타플루오르싸이클로부탄 |
Balance
| 영문명 | 분자식 |
|---|---|
| Arsine in Semiconductor Purity Background Gas | AsH₃ / Ar, He, H₂, N₂ Balance |
| Diborane in Semiconductor Purity Background Gas | B₂H6 / Ar, He, H₂, N₂ Balance |
| Phosphine in Semiconductor Purity Background Gas | PH₃/ Ar, He, H₂, N₂ Balance |
| Silicon Tetrafluoride / Oxygen | SCl₄/O₂ Balance |
| Halocarbon14/ Oxygen Mixtures | SCF₄/O₂ Balance |
주요 반도체용
특수가스의 종류
및 특성
| 가스명 | 화학식 | 물중량 | 냄새 | 폭발범위 | 독성(ppm) | 부식성 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 실란 | SiH₄ | 32.118 | 불쾌한 냄새 | 자연발화-1.35∼ | O | 5 | × |
| 알곤 | Ar | 39.944 | 무취 | 비가연성 | × | × | |
| 아르신 | AsH₃ | 77.95 | 마늘냄새 | 가연성:5.1-78% | |||
| 삼플루오르화붕소 | BF₃ | 67.82 | 자극적 냄새 | 비연소성 | O | 0.3 | O |
| 삼염화붕소 | BCl₃ | 111.17 | 자극적 냄새 | 비사연성- | |||
| 디보란 | B₂H6 | 138.012 | 무취 | 비연소성 | × | × | |
| 사플루오르화탄소 | CF₄ | 88.01 | 무취 | ||||
| 염화2프루오르화메탄 | CHClF₂ | 86.5 | 무취 | 비연소성 | O | 1000 | |
| 3플루오르화 메탄 | CHF₃ | 92.45 | 불쾌한 냄새 | 지연성 | O | 0.1 | O |
| 디플루오메탄 | CH₂F₂ | 52 | 무취 | 자연발화-1.32∼29.3% | |||
| 메탄 | CH₄ | 16.043 | 무취 | 가연성:5.3-14% | |||
| 3플루오르화 염화믈 | ClF₃ | 92.5 | 자극적 냄새 | 0.14 | |||
| 염소 | Cl₂ | 70.91 | 자극적 냄새 | 1 | |||
| 사불화규소 | SiF₄ | 104.08 | 자극적 냄새 | 비연소성- | O | 2.5 (mgF/㎥) | O |
| 삼불화질소 | NF₃ | 71 | 무취 | 지연성 | O | 10 | × |
| 육불화황 | SF6 | 146.05 | 무취 | 비연소성 | × | 1000 | × |
| 육불화텅스텐 | WF6 | 279.84 | 자극적냄새 | 비연소성 | O | 2.5(mgF/㎥) | O |
| 3플루오르화 메탄 | CHF₃ | 92.45 | 불쾌한냄새 | 지연성 | O | 0.1 | O |
| 암모니아 | NH₃ | 17.03 | 자극적 냄새 | 지연성 -15.5-27 | O | 25 | O |
| 플루오르화염화물 | ClF₃ | 92.5 | 자극적 냄새 | 0.14 | |||
| 일산화탄소 | CO | 28.01 | 무취 | 가연성:12.5-74% | 50 | ||
| 이산화탄소 | CO₂ | 44.01 | 무취 | 5000 | |||
| 과플루오르화에탄 | C₂F6 | 138.012 | 무취 | ||||
| 디메틸아연 | (CH3)₂Zn | 95.44 | 무취 | ||||
| 과플루오르화프로판 | C3F8 | 188.02 | 무취 | ||||
| 트리메틸 알루미늄 | (CH3)3Al | 72.9 | 1 | ||||
| 트리메틸 보레이트 | B(OCH3)3 | 103.8 | 이상한 냄새 | ||||
| 트리메틸파스페이트 | PO(OCH3)3 | 140.1 | 상쾌한 향기 | ||||
| 옥타플루오르 싸이클로부탄 | C₄F8 | 200.03 | 불쾌한 악취 | ||||
| 디에틸텔루 라이드 | (C₂H5)2Te | 185.72 | 불쾌한 냄새 | ||||
| 테트라에톡시실란 | Si(OC2H5)₄ | 208 | 상쾌한 향기 | 가연성:4.7-49% | 100 | × | |
| 불소 | F₂ | 37.9968 | 무취 | 1 | |||
| 게르만 | G₂H₄ | 76.64 | 자극적 냄새 | 가연성:2.28-100% | O | 0.2 | |
| 브롬화수소 | HBr | 80.92 | 자극적 냄새 | 비가연성- | 3 | ||
| 염화수소 | HCl | 36.46 | 자극적 냄새 | 비연소성 | O | 5 | O |
| 수소 | H₂ | 2.016 | 무취 | 가연성:4.1-74.2% | |||
| 황화수소 | H₂S | 34.08 | 고기썩는냄새 | -4∼44% | O | 10PPM | |
| 세렌화수소 | H₂Se | 80.98 | 마늘냄새 | 가연성:12.5-63% | O | 0.05 PPM | |
| 헬륨 | He | 4 | 무취 | 비가연성 | |||
| 크립톤 | Kr | 83.8 | 무취 | ||||
| 네온 | Ne | 20.18 | 무취 | ||||
| 삼불화질소 | NF₃ | 71 | 자극적 냄새 | 지연성-15.5-27 | O | 10PPM | |
| 암모니아 | NH₃ | 17.03 | 무취 | O | 25 | O | |
| 일산화질소 | NO | 30.01 | 무취 | 비가연성 | 25PPM | ||
| 질소 | N₂ | 28.013 | 무취 | ||||
| 아산화질소 | N₂O | 44 | 무취 | 50PPM | |||
| 산소 | O₂ | 32 | 자극적 냄새 | ||||
| 삼불화인 | PF₃ | 87.98 | 자극적 냄새 | 1PPM | |||
| 오불화인 | PF5 | 125.97 | 고기썩는냄새 | ||||
| 포스핀 | PH₃ | 34 | 자극적 냄새 | 자연발화-1.32∼ | O | 0.3 | × |
| 옥시염화인 | POCl₃ | 153.32 | |||||
반도체 가스의
용기 종류 Cylinder Description
| 구분 | 용량(ℓ) Volume |
직경×높이(mm)길이 Diameter × Length |
중량(kg) (Weight) |
재질 (Material) |
비고 |
|---|---|---|---|---|---|
| A | 48 | 250×1,485 | 42 | AL | |
| B | 47 | 232×1,500 | 57 | Steel | |
| C | 40 | 222×1,330 | 22 | SUS | |
| D | 10 | 140×1,100 | 32 | SUS | |
| E | 10 | 140 × 970 | 15.5 | Steel | |
| F | 9.4 | 175 × 720 | 9.2 | AL | |
| G | 3.4 | 140 × 475 | 5.8 | Steel | |
| I | 1 | 76.3 × 465 | 2.8 | Steel | |
| J | 0.35 | 50.8 × 350 | 1.5 | Steel |
반도체용 초고순도가스
특수가스 제조 (Ultra High Purity Gases
for Semiconductors)
초저온 및 가스응용분야의 기술축적으로, 초고순도 순수가스와 반도체용 특수가스 제조를 위한 정제장치와 관련 설비를 엔지니어링 및 개발하여 최상의 제조설비를 갖추고 값싸고 품질좋은 제품을 생산하고 있으며 특히, 초고순도의 순도관리에 최선을 다하기 위하여 실린더 내외면 처리 및 보수설비, 최신의 분석 장비 등을 보유하고 수요처에 신뢰성 높은 제품공급에 최선을 다하고 있습니다.
반도체 제조용
가스의 공급 개념
- Clean화(Clean Room-Class10)용기내면 초 순수처리
- 10MΩ, 완전Dry 진공계의 채용, Ultra Clean Technology의 채택 등
- 고품질화(가스의 고순도화, 품질의 안정화, Paticle Less 등
- 자동화(전자동충전 및 용기 내면처리 등)
- 비용절감(가스의 저장, 수송, 공급시스템 등)
- 고객 서비스(On-Site, Management, 안전교육 등
- 안전성의 확보(가스안전 Management, 안전공급 등
- 환경보전(중앙감시 시스템, 배출가스 완전처리, 전용 재해장치의 설치 등
- 전 세계적으로 일관성 있는 제품의 공급
- 공정용(Precess Gas)
- 영상장치(LCD, PDP)
반도체용 제조용
가스의 분류
| 항목 | 가스명 | 비고 |
|---|---|---|
| 산화, 질화막 | SiH₄, HCl, NH₃, N₂ O, O₂ 등 | |
| 이온주입 | Ash₃, PH₃, BF₃, BCl, PF5, SiF₄, Ar 등 | 혼합가스로도 사용 |
| Epitaxial 성장 | SiH₄, SiH₂ Cl, SI₂ H6, B,₂ H66 등 | 결정체 성장(혼합가스) |
| MO-C.V.D | AsH₃, PH₃, H₂ Se, SiH₄, Si₂H6, H₂S 등 | 화학, 증착(Chemical Vaper depossition)-혼합가스 |
| Etching | HCl, Cl₂ , BCl₃, CHF₃, CF₄, SF6, NF₃ 등 | |
| 분위기가스 | N₂, O₂, H₂, Ar, He 등 |
반도체 제조
용도별 분류
| 용도분류 | 종 류 | |
|---|---|---|
| Doping Gas | AsH₃, H₃S, GeH₃, SbH₃, AsCl₃, AsF₃, PH₃, PCl₃, B₃H6, BF₃, (CH₃)2Te, (CH₃)2Cd, (C₃H5)2Cd 등 | |
| Epitaxial Gas | SiH₄, SiH₂Cl₂, SiHCl₃, SiCl₄, B₂H6, BBR₃, BCl₃, AsH₃, PH₃, GeH₄, TeH₂(CH₃)3Al, (C₂H5)3Al, (CH₃)3SB, (C₂H5)3Sb, (CH₃)3Ga, (C₂H5)3Ga, (CH₃)3As, (C₂H5)3As, SnCl₄, GeCl₄ 등 | |
| 이온주입가스 | AsF5, PH5, PH₃, BF₃, BCl₃, SF6 등 | |
| 발광다이오드용가스 | AsH₃, PH₃, HCl, ScH₂, (CH₃)2Te, (C₂H5)2Te 등 | |
| Etching Gas | 기상 Etching | Cl₂, HCl, HF, HBr, SF6 등 |
| Plazma Etching | SIF₄, CF₄, C₃F8, C₂F6, CHF₃, CClF₃, O₂등 | |
| 이온 빔 Etching | C₃F8, CHF₃, CClF₃, CF₄등 | |
| 반응성 스퍼터링 | O₂등 | |
| 화학증착용 가스(CVD) | SiH₄, SiH₂Cl₂, SiCl₄, NH₃, NO, O₂등 | |
| BALANCE GAS | N₂, Ar, He, H₂, CO₂, N₂O 등 | |
반도체가스 생산공정
반도체 공정별
사용가스
- 다결정 실리콘 생산
- Epitaxy
- 열 애칭(Thermal Etching)
- Gettering
- 산화(Oxidation)
- 열 확산(Thermal Diffusion)
- 이온주입(Ion Implantion)
- 다결정실리콘 처리(Doped Polycrystalling Silicon)
- Passivation
- Sputtering
- 프라즈마 애칭(Plazma Etching)
- Annealing
- Blanketing
- Packaging
- Themal Shock
설비·시공·부품판매
광통신 & 반도체 LCD장비와 개발 제조 및 PAD의 일차, 이차 Hook-Up공사를 시공
반도체 가스설비
및 설치
- Gas Cabinet System
- Bulk Gas Supply System & Block System/IGC
- Gas monitoring System
- VMB/VMP System
- Burn Dry Scrubber
- Burn Wet Scrubber
- Ultra Pure Gas Purifier
반도체 부품 (Gas Containment Distribution)
- VCR Fitting
- SUS Tube
- Filter
- Piping System
- Parflex
- Manufacturing Tool/Equioment
- Polyflex
- Vacum/Exhaust System
- Quick Coupling
- Wet System
- EO & EO-2
- Weld Fitting
- Instrumentation Tube Fitting
- Diaphragm / Bellows Valces
- UHP(Ultra High Purity)
- Hydraulic Hose & Fitting
- Alternate Fuel Products
- Block Valves and Oyher Valves
Plant 배관설치
- 산업용 가스 배관
산업 & 자동차 관련
가스 설비
- 사업용 가스 케비넷
- Gas Pannel
- TOXIC Gas 배관실시
Electro Polishing(EP)
- 제조배관 Line
- N₂Gas supply System
- O & Ar Gas supply System
- H₂Gas supply System
- Clean Dryer Air System
- Special Process Gas supply System
- 기타 반도체 제조장비 Parts
방산연구소
- Gas Supply System
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